FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Artikelnummer
FQB7N65CTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
173W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1245pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22225 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB7N65CTM
FQB7N65CTM Elektroniska komponenter
FQB7N65CTM Försäljning
FQB7N65CTM Leverantör
FQB7N65CTM Distributör
FQB7N65CTM Datatabell
FQB7N65CTM Foton
FQB7N65CTM Pris
FQB7N65CTM Erbjudande
FQB7N65CTM Lägsta pris
FQB7N65CTM Sök
FQB7N65CTM Köp av
FQB7N65CTM Chip