FQB7N20TM
MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
Artikelnummer
FQB7N20TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
690 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45982 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB7N20TM
FQB7N20TM Elektroniska komponenter
FQB7N20TM Försäljning
FQB7N20TM Leverantör
FQB7N20TM Distributör
FQB7N20TM Datatabell
FQB7N20TM Foton
FQB7N20TM Pris
FQB7N20TM Erbjudande
FQB7N20TM Lägsta pris
FQB7N20TM Sök
FQB7N20TM Köp av
FQB7N20TM Chip