FQB7N60TM-WS
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Artikelnummer
FQB7N60TM-WS
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54697 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB7N60TM-WS
FQB7N60TM-WS Elektroniska komponenter
FQB7N60TM-WS Försäljning
FQB7N60TM-WS Leverantör
FQB7N60TM-WS Distributör
FQB7N60TM-WS Datatabell
FQB7N60TM-WS Foton
FQB7N60TM-WS Pris
FQB7N60TM-WS Erbjudande
FQB7N60TM-WS Lägsta pris
FQB7N60TM-WS Sök
FQB7N60TM-WS Köp av
FQB7N60TM-WS Chip