FQB2NA90TM
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
Artikelnummer
FQB2NA90TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.8 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15478 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB2NA90TM
FQB2NA90TM Elektroniska komponenter
FQB2NA90TM Försäljning
FQB2NA90TM Leverantör
FQB2NA90TM Distributör
FQB2NA90TM Datatabell
FQB2NA90TM Foton
FQB2NA90TM Pris
FQB2NA90TM Erbjudande
FQB2NA90TM Lägsta pris
FQB2NA90TM Sök
FQB2NA90TM Köp av
FQB2NA90TM Chip