FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Artikelnummer
FQB22P10TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48708 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB22P10TM
FQB22P10TM Elektroniska komponenter
FQB22P10TM Försäljning
FQB22P10TM Leverantör
FQB22P10TM Distributör
FQB22P10TM Datatabell
FQB22P10TM Foton
FQB22P10TM Pris
FQB22P10TM Erbjudande
FQB22P10TM Lägsta pris
FQB22P10TM Sök
FQB22P10TM Köp av
FQB22P10TM Chip