FQB2N80TM
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
Artikelnummer
FQB2N80TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54871 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB2N80TM
FQB2N80TM Elektroniska komponenter
FQB2N80TM Försäljning
FQB2N80TM Leverantör
FQB2N80TM Distributör
FQB2N80TM Datatabell
FQB2N80TM Foton
FQB2N80TM Pris
FQB2N80TM Erbjudande
FQB2N80TM Lägsta pris
FQB2N80TM Sök
FQB2N80TM Köp av
FQB2N80TM Chip