FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Artikelnummer
FQB25N33TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
330V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54212 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB25N33TM
FQB25N33TM Elektroniska komponenter
FQB25N33TM Försäljning
FQB25N33TM Leverantör
FQB25N33TM Distributör
FQB25N33TM Datatabell
FQB25N33TM Foton
FQB25N33TM Pris
FQB25N33TM Erbjudande
FQB25N33TM Lägsta pris
FQB25N33TM Sök
FQB25N33TM Köp av
FQB25N33TM Chip