FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Artikelnummer
FDV303N
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25872 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDV303N
FDV303N Elektroniska komponenter
FDV303N Försäljning
FDV303N Leverantör
FDV303N Distributör
FDV303N Datatabell
FDV303N Foton
FDV303N Pris
FDV303N Erbjudande
FDV303N Lägsta pris
FDV303N Sök
FDV303N Köp av
FDV303N Chip