Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDV302P

FDV302P

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Artikelnummer
FDV302P
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5789 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDV302P
FDV302P Elektroniska komponenter
FDV302P Försäljning
FDV302P Leverantör
FDV302P Distributör
FDV302P Datatabell
FDV302P Foton
FDV302P Pris
FDV302P Erbjudande
FDV302P Lägsta pris
FDV302P Sök
FDV302P Köp av
FDV302P Chip