FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Artikelnummer
FDT86113LZ
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
2.2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48631 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDT86113LZ
FDT86113LZ Elektroniska komponenter
FDT86113LZ Försäljning
FDT86113LZ Leverantör
FDT86113LZ Distributör
FDT86113LZ Datatabell
FDT86113LZ Foton
FDT86113LZ Pris
FDT86113LZ Erbjudande
FDT86113LZ Lägsta pris
FDT86113LZ Sök
FDT86113LZ Köp av
FDT86113LZ Chip