Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDD5612

FDD5612

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Artikelnummer
FDD5612
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252-3
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28005 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDD5612
FDD5612 Elektroniska komponenter
FDD5612 Försäljning
FDD5612 Leverantör
FDD5612 Distributör
FDD5612 Datatabell
FDD5612 Foton
FDD5612 Pris
FDD5612 Erbjudande
FDD5612 Lägsta pris
FDD5612 Sök
FDD5612 Köp av
FDD5612 Chip