Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDC855N

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Artikelnummer
FDC855N
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
SuperSOT™-6
Effektförlust (max)
1.6W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14179 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDC855N
FDC855N Elektroniska komponenter
FDC855N Försäljning
FDC855N Leverantör
FDC855N Distributör
FDC855N Datatabell
FDC855N Foton
FDC855N Pris
FDC855N Erbjudande
FDC855N Lägsta pris
FDC855N Sök
FDC855N Köp av
FDC855N Chip