FDC021N30
PT8 N 30V/20V, MOSFET
Artikelnummer
FDC021N30
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
SuperSOT™-6
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15666 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDC021N30
FDC021N30 Elektroniska komponenter
FDC021N30 Försäljning
FDC021N30 Leverantör
FDC021N30 Distributör
FDC021N30 Datatabell
FDC021N30 Foton
FDC021N30 Pris
FDC021N30 Erbjudande
FDC021N30 Lägsta pris
FDC021N30 Sök
FDC021N30 Köp av
FDC021N30 Chip