FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Artikelnummer
FDB0165N807L
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263)
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
310A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
304nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
23660pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36175 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDB0165N807L
FDB0165N807L Elektroniska komponenter
FDB0165N807L Försäljning
FDB0165N807L Leverantör
FDB0165N807L Distributör
FDB0165N807L Datatabell
FDB0165N807L Foton
FDB0165N807L Pris
FDB0165N807L Erbjudande
FDB0165N807L Lägsta pris
FDB0165N807L Sök
FDB0165N807L Köp av
FDB0165N807L Chip