FDA20N50F
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
Artikelnummer
FDA20N50F
Tillverkare/varumärke
Serier
UniFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Effektförlust (max)
388W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3390pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29836 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDA20N50F
FDA20N50F Elektroniska komponenter
FDA20N50F Försäljning
FDA20N50F Leverantör
FDA20N50F Distributör
FDA20N50F Datatabell
FDA20N50F Foton
FDA20N50F Pris
FDA20N50F Erbjudande
FDA20N50F Lägsta pris
FDA20N50F Sök
FDA20N50F Köp av
FDA20N50F Chip