FCP4N60
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
Artikelnummer
FCP4N60
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27558 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FCP4N60
FCP4N60 Elektroniska komponenter
FCP4N60 Försäljning
FCP4N60 Leverantör
FCP4N60 Distributör
FCP4N60 Datatabell
FCP4N60 Foton
FCP4N60 Pris
FCP4N60 Erbjudande
FCP4N60 Lägsta pris
FCP4N60 Sök
FCP4N60 Köp av
FCP4N60 Chip