Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Artikelnummer
FCP11N60N-F102
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1505pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40808 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FCP11N60N-F102
FCP11N60N-F102 Elektroniska komponenter
FCP11N60N-F102 Försäljning
FCP11N60N-F102 Leverantör
FCP11N60N-F102 Distributör
FCP11N60N-F102 Datatabell
FCP11N60N-F102 Foton
FCP11N60N-F102 Pris
FCP11N60N-F102 Erbjudande
FCP11N60N-F102 Lägsta pris
FCP11N60N-F102 Sök
FCP11N60N-F102 Köp av
FCP11N60N-F102 Chip