FCA20N60-F109
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Artikelnummer
FCA20N60-F109
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperFET™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24946 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FCA20N60-F109
FCA20N60-F109 Elektroniska komponenter
FCA20N60-F109 Försäljning
FCA20N60-F109 Leverantör
FCA20N60-F109 Distributör
FCA20N60-F109 Datatabell
FCA20N60-F109 Foton
FCA20N60-F109 Pris
FCA20N60-F109 Erbjudande
FCA20N60-F109 Lägsta pris
FCA20N60-F109 Sök
FCA20N60-F109 Köp av
FCA20N60-F109 Chip