Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Artikelnummer
BVSS123LT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3
Effektförlust (max)
225mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25364 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BVSS123LT1G
BVSS123LT1G Elektroniska komponenter
BVSS123LT1G Försäljning
BVSS123LT1G Leverantör
BVSS123LT1G Distributör
BVSS123LT1G Datatabell
BVSS123LT1G Foton
BVSS123LT1G Pris
BVSS123LT1G Erbjudande
BVSS123LT1G Lägsta pris
BVSS123LT1G Sök
BVSS123LT1G Köp av
BVSS123LT1G Chip