BUZ11_R4941
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
Artikelnummer
BUZ11_R4941
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9186 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BUZ11_R4941
BUZ11_R4941 Elektroniska komponenter
BUZ11_R4941 Försäljning
BUZ11_R4941 Leverantör
BUZ11_R4941 Distributör
BUZ11_R4941 Datatabell
BUZ11_R4941 Foton
BUZ11_R4941 Pris
BUZ11_R4941 Erbjudande
BUZ11_R4941 Lägsta pris
BUZ11_R4941 Sök
BUZ11_R4941 Köp av
BUZ11_R4941 Chip