BS107ARL1G
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Artikelnummer
BS107ARL1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10163 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BS107ARL1G
BS107ARL1G Elektroniska komponenter
BS107ARL1G Försäljning
BS107ARL1G Leverantör
BS107ARL1G Distributör
BS107ARL1G Datatabell
BS107ARL1G Foton
BS107ARL1G Pris
BS107ARL1G Erbjudande
BS107ARL1G Lägsta pris
BS107ARL1G Sök
BS107ARL1G Köp av
BS107ARL1G Chip