5LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Artikelnummer
5LN01C-TB-E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
3-CP
Effektförlust (max)
250mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.57nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6.6pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13467 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E Elektroniska komponenter
5LN01C-TB-E Försäljning
5LN01C-TB-E Leverantör
5LN01C-TB-E Distributör
5LN01C-TB-E Datatabell
5LN01C-TB-E Foton
5LN01C-TB-E Pris
5LN01C-TB-E Erbjudande
5LN01C-TB-E Lägsta pris
5LN01C-TB-E Sök
5LN01C-TB-E Köp av
5LN01C-TB-E Chip