Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

MOSFET N-CH 50V 0.1A
Artikelnummer
2SK536-TB-E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
125°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SC-59
Effektförlust (max)
200mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30841 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av 2SK536-TB-E
2SK536-TB-E Elektroniska komponenter
2SK536-TB-E Försäljning
2SK536-TB-E Leverantör
2SK536-TB-E Distributör
2SK536-TB-E Datatabell
2SK536-TB-E Foton
2SK536-TB-E Pris
2SK536-TB-E Erbjudande
2SK536-TB-E Lägsta pris
2SK536-TB-E Sök
2SK536-TB-E Köp av
2SK536-TB-E Chip