PMF63UN,115
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
Artikelnummer
PMF63UN,115
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SOT-323-3
Effektförlust (max)
275mW (Ta), 1.785W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.3nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37701 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMF63UN,115
PMF63UN,115 Elektroniska komponenter
PMF63UN,115 Försäljning
PMF63UN,115 Leverantör
PMF63UN,115 Distributör
PMF63UN,115 Datatabell
PMF63UN,115 Foton
PMF63UN,115 Pris
PMF63UN,115 Erbjudande
PMF63UN,115 Lägsta pris
PMF63UN,115 Sök
PMF63UN,115 Köp av
PMF63UN,115 Chip