PHX8NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Artikelnummer
PHX8NQ11T,127
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
27.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
110V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16699 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHX8NQ11T,127
PHX8NQ11T,127 Elektroniska komponenter
PHX8NQ11T,127 Försäljning
PHX8NQ11T,127 Leverantör
PHX8NQ11T,127 Distributör
PHX8NQ11T,127 Datatabell
PHX8NQ11T,127 Foton
PHX8NQ11T,127 Pris
PHX8NQ11T,127 Erbjudande
PHX8NQ11T,127 Lägsta pris
PHX8NQ11T,127 Sök
PHX8NQ11T,127 Köp av
PHX8NQ11T,127 Chip