PHX45NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
Artikelnummer
PHX45NQ11T,127
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
110V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45200 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHX45NQ11T,127
PHX45NQ11T,127 Elektroniska komponenter
PHX45NQ11T,127 Försäljning
PHX45NQ11T,127 Leverantör
PHX45NQ11T,127 Distributör
PHX45NQ11T,127 Datatabell
PHX45NQ11T,127 Foton
PHX45NQ11T,127 Pris
PHX45NQ11T,127 Erbjudande
PHX45NQ11T,127 Lägsta pris
PHX45NQ11T,127 Sök
PHX45NQ11T,127 Köp av
PHX45NQ11T,127 Chip