PH5525L,115
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Artikelnummer
PH5525L,115
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-100, SOT-669
Leverantörsenhetspaket
LFPAK56, Power-SO8
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
81.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11282 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PH5525L,115
PH5525L,115 Elektroniska komponenter
PH5525L,115 Försäljning
PH5525L,115 Leverantör
PH5525L,115 Distributör
PH5525L,115 Datatabell
PH5525L,115 Foton
PH5525L,115 Pris
PH5525L,115 Erbjudande
PH5525L,115 Lägsta pris
PH5525L,115 Sök
PH5525L,115 Köp av
PH5525L,115 Chip