SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Artikelnummer
SI2304DS,215
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
830mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20755 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2304DS,215
SI2304DS,215 Elektroniska komponenter
SI2304DS,215 Försäljning
SI2304DS,215 Leverantör
SI2304DS,215 Distributör
SI2304DS,215 Datatabell
SI2304DS,215 Foton
SI2304DS,215 Pris
SI2304DS,215 Erbjudande
SI2304DS,215 Lägsta pris
SI2304DS,215 Sök
SI2304DS,215 Köp av
SI2304DS,215 Chip