PMZB290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
Artikelnummer
PMZB290UNE2YL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-XFDFN
Leverantörsenhetspaket
DFN1006B-3
Effektförlust (max)
350mW (Ta), 5.43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17235 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL Elektroniska komponenter
PMZB290UNE2YL Försäljning
PMZB290UNE2YL Leverantör
PMZB290UNE2YL Distributör
PMZB290UNE2YL Datatabell
PMZB290UNE2YL Foton
PMZB290UNE2YL Pris
PMZB290UNE2YL Erbjudande
PMZB290UNE2YL Lägsta pris
PMZB290UNE2YL Sök
PMZB290UNE2YL Köp av
PMZB290UNE2YL Chip