PMZB150UNEYL
MOSFET N-CH 20V SOT883
Artikelnummer
PMZB150UNEYL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-XFDFN
Leverantörsenhetspaket
DFN1006B-3
Effektförlust (max)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
93pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48560 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL Elektroniska komponenter
PMZB150UNEYL Försäljning
PMZB150UNEYL Leverantör
PMZB150UNEYL Distributör
PMZB150UNEYL Datatabell
PMZB150UNEYL Foton
PMZB150UNEYL Pris
PMZB150UNEYL Erbjudande
PMZB150UNEYL Lägsta pris
PMZB150UNEYL Sök
PMZB150UNEYL Köp av
PMZB150UNEYL Chip