PMZ200UNEYL
MOSFET N-CH 30V SOT883
Artikelnummer
PMZ200UNEYL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-101, SOT-883
Leverantörsenhetspaket
DFN1006-3
Effektförlust (max)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
89pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42011 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMZ200UNEYL
PMZ200UNEYL Elektroniska komponenter
PMZ200UNEYL Försäljning
PMZ200UNEYL Leverantör
PMZ200UNEYL Distributör
PMZ200UNEYL Datatabell
PMZ200UNEYL Foton
PMZ200UNEYL Pris
PMZ200UNEYL Erbjudande
PMZ200UNEYL Lägsta pris
PMZ200UNEYL Sök
PMZ200UNEYL Köp av
PMZ200UNEYL Chip