PMXB56ENZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Artikelnummer
PMXB56ENZ
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-XDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN1010D-3
Effektförlust (max)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
209pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46865 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMXB56ENZ
PMXB56ENZ Elektroniska komponenter
PMXB56ENZ Försäljning
PMXB56ENZ Leverantör
PMXB56ENZ Distributör
PMXB56ENZ Datatabell
PMXB56ENZ Foton
PMXB56ENZ Pris
PMXB56ENZ Erbjudande
PMXB56ENZ Lägsta pris
PMXB56ENZ Sök
PMXB56ENZ Köp av
PMXB56ENZ Chip