PMXB120EPE
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
Artikelnummer
PMXB120EPE
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-XDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN1010D-3
Effektförlust (max)
400mW (Ta), 8.3W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
309pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6207 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMXB120EPE
PMXB120EPE Elektroniska komponenter
PMXB120EPE Försäljning
PMXB120EPE Leverantör
PMXB120EPE Distributör
PMXB120EPE Datatabell
PMXB120EPE Foton
PMXB120EPE Pris
PMXB120EPE Erbjudande
PMXB120EPE Lägsta pris
PMXB120EPE Sök
PMXB120EPE Köp av
PMXB120EPE Chip