PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
Artikelnummer
PMXB43UNEZ
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-XDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
DFN1010D-3
Effektförlust (max)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
551pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9668 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ Elektroniska komponenter
PMXB43UNEZ Försäljning
PMXB43UNEZ Leverantör
PMXB43UNEZ Distributör
PMXB43UNEZ Datatabell
PMXB43UNEZ Foton
PMXB43UNEZ Pris
PMXB43UNEZ Erbjudande
PMXB43UNEZ Lägsta pris
PMXB43UNEZ Sök
PMXB43UNEZ Köp av
PMXB43UNEZ Chip