PMV30UN2VL
MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Artikelnummer
PMV30UN2VL
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB
Effektförlust (max)
490mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35963 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PMV30UN2VL
PMV30UN2VL Elektroniska komponenter
PMV30UN2VL Försäljning
PMV30UN2VL Leverantör
PMV30UN2VL Distributör
PMV30UN2VL Datatabell
PMV30UN2VL Foton
PMV30UN2VL Pris
PMV30UN2VL Erbjudande
PMV30UN2VL Lägsta pris
PMV30UN2VL Sök
PMV30UN2VL Köp av
PMV30UN2VL Chip