PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Artikelnummer
PHKD3NQ10T,518
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35665 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHKD3NQ10T,518
PHKD3NQ10T,518 Elektroniska komponenter
PHKD3NQ10T,518 Försäljning
PHKD3NQ10T,518 Leverantör
PHKD3NQ10T,518 Distributör
PHKD3NQ10T,518 Datatabell
PHKD3NQ10T,518 Foton
PHKD3NQ10T,518 Pris
PHKD3NQ10T,518 Erbjudande
PHKD3NQ10T,518 Lägsta pris
PHKD3NQ10T,518 Sök
PHKD3NQ10T,518 Köp av
PHKD3NQ10T,518 Chip