PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Artikelnummer
PHB47NQ10T,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
166W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16743 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHB47NQ10T,118
PHB47NQ10T,118 Elektroniska komponenter
PHB47NQ10T,118 Försäljning
PHB47NQ10T,118 Leverantör
PHB47NQ10T,118 Distributör
PHB47NQ10T,118 Datatabell
PHB47NQ10T,118 Foton
PHB47NQ10T,118 Pris
PHB47NQ10T,118 Erbjudande
PHB47NQ10T,118 Lägsta pris
PHB47NQ10T,118 Sök
PHB47NQ10T,118 Köp av
PHB47NQ10T,118 Chip