BSP110,115
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Artikelnummer
BSP110,115
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
6.25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
520mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43722 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSP110,115
BSP110,115 Elektroniska komponenter
BSP110,115 Försäljning
BSP110,115 Leverantör
BSP110,115 Distributör
BSP110,115 Datatabell
BSP110,115 Foton
BSP110,115 Pris
BSP110,115 Erbjudande
BSP110,115 Lägsta pris
BSP110,115 Sök
BSP110,115 Köp av
BSP110,115 Chip