APT58M50J
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Artikelnummer
APT58M50J
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
ISOTOP®
Effektförlust (max)
540W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24183 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT58M50J
APT58M50J Elektroniska komponenter
APT58M50J Försäljning
APT58M50J Leverantör
APT58M50J Distributör
APT58M50J Datatabell
APT58M50J Foton
APT58M50J Pris
APT58M50J Erbjudande
APT58M50J Lägsta pris
APT58M50J Sök
APT58M50J Köp av
APT58M50J Chip