APT5010B2LLG
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Artikelnummer
APT5010B2LLG
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 7®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21802 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT5010B2LLG
APT5010B2LLG Elektroniska komponenter
APT5010B2LLG Försäljning
APT5010B2LLG Leverantör
APT5010B2LLG Distributör
APT5010B2LLG Datatabell
APT5010B2LLG Foton
APT5010B2LLG Pris
APT5010B2LLG Erbjudande
APT5010B2LLG Lägsta pris
APT5010B2LLG Sök
APT5010B2LLG Köp av
APT5010B2LLG Chip