APT58F50J
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Artikelnummer
APT58F50J
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
ISOTOP®
Effektförlust (max)
540W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22993 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT58F50J
APT58F50J Elektroniska komponenter
APT58F50J Försäljning
APT58F50J Leverantör
APT58F50J Distributör
APT58F50J Datatabell
APT58F50J Foton
APT58F50J Pris
APT58F50J Erbjudande
APT58F50J Lägsta pris
APT58F50J Sök
APT58F50J Köp av
APT58F50J Chip