APT56F60B2
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Artikelnummer
APT56F60B2
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
280nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18442 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT56F60B2
APT56F60B2 Elektroniska komponenter
APT56F60B2 Försäljning
APT56F60B2 Leverantör
APT56F60B2 Distributör
APT56F60B2 Datatabell
APT56F60B2 Foton
APT56F60B2 Pris
APT56F60B2 Erbjudande
APT56F60B2 Lägsta pris
APT56F60B2 Sök
APT56F60B2 Köp av
APT56F60B2 Chip