APT50GP60B2DQ2G
IGBT 600V 150A 625W TMAX
Artikelnummer
APT50GP60B2DQ2G
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 7®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Effekt - Max
625W
Leverantörsenhetspaket
-
Omvänd återhämtningstid (trr)
-
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
150A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
600V
IGBT typ
PT
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 50A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
190A
Energiövergång
465µJ (on), 635µJ (off)
Gateavgifter
165nC
BP (på/av) vid 25°C
19ns/85ns
Konditionstest
400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52266 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G Elektroniska komponenter
APT50GP60B2DQ2G Försäljning
APT50GP60B2DQ2G Leverantör
APT50GP60B2DQ2G Distributör
APT50GP60B2DQ2G Datatabell
APT50GP60B2DQ2G Foton
APT50GP60B2DQ2G Pris
APT50GP60B2DQ2G Erbjudande
APT50GP60B2DQ2G Lägsta pris
APT50GP60B2DQ2G Sök
APT50GP60B2DQ2G Köp av
APT50GP60B2DQ2G Chip