APL502B2G
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Artikelnummer
APL502B2G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
730W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43647 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APL502B2G
APL502B2G Elektroniska komponenter
APL502B2G Försäljning
APL502B2G Leverantör
APL502B2G Distributör
APL502B2G Datatabell
APL502B2G Foton
APL502B2G Pris
APL502B2G Erbjudande
APL502B2G Lägsta pris
APL502B2G Sök
APL502B2G Köp av
APL502B2G Chip