TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Artikelnummer
TP0606N3-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
1W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
320mA (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47989 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TP0606N3-G
TP0606N3-G Elektroniska komponenter
TP0606N3-G Försäljning
TP0606N3-G Leverantör
TP0606N3-G Distributör
TP0606N3-G Datatabell
TP0606N3-G Foton
TP0606N3-G Pris
TP0606N3-G Erbjudande
TP0606N3-G Lägsta pris
TP0606N3-G Sök
TP0606N3-G Köp av
TP0606N3-G Chip