SI2333-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2333-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 500mA, 1.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1275pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26510 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2333-TP
SI2333-TP Elektroniska komponenter
SI2333-TP Försäljning
SI2333-TP Leverantör
SI2333-TP Distributör
SI2333-TP Datatabell
SI2333-TP Foton
SI2333-TP Pris
SI2333-TP Erbjudande
SI2333-TP Lägsta pris
SI2333-TP Sök
SI2333-TP Köp av
SI2333-TP Chip