SI2312-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2312-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 4.3A, 1.8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54588 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2312-TP
SI2312-TP Elektroniska komponenter
SI2312-TP Försäljning
SI2312-TP Leverantör
SI2312-TP Distributör
SI2312-TP Datatabell
SI2312-TP Foton
SI2312-TP Pris
SI2312-TP Erbjudande
SI2312-TP Lägsta pris
SI2312-TP Sök
SI2312-TP Köp av
SI2312-TP Chip