SI2310-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2310-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
247pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41410 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2310-TP
SI2310-TP Elektroniska komponenter
SI2310-TP Försäljning
SI2310-TP Leverantör
SI2310-TP Distributör
SI2310-TP Datatabell
SI2310-TP Foton
SI2310-TP Pris
SI2310-TP Erbjudande
SI2310-TP Lägsta pris
SI2310-TP Sök
SI2310-TP Köp av
SI2310-TP Chip