SI2306-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2306-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
750mW
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.16A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
305pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19650 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2306-TP
SI2306-TP Elektroniska komponenter
SI2306-TP Försäljning
SI2306-TP Leverantör
SI2306-TP Distributör
SI2306-TP Datatabell
SI2306-TP Foton
SI2306-TP Pris
SI2306-TP Erbjudande
SI2306-TP Lägsta pris
SI2306-TP Sök
SI2306-TP Köp av
SI2306-TP Chip