SI1012-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
Artikelnummer
SI1012-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-523
Leverantörsenhetspaket
SOT-523
Effektförlust (max)
150mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 500mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
750nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17391 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1012-TP
SI1012-TP Elektroniska komponenter
SI1012-TP Försäljning
SI1012-TP Leverantör
SI1012-TP Distributör
SI1012-TP Datatabell
SI1012-TP Foton
SI1012-TP Pris
SI1012-TP Erbjudande
SI1012-TP Lägsta pris
SI1012-TP Sök
SI1012-TP Köp av
SI1012-TP Chip